学生研究題目
2023年度修士論文
「SiC上エピタキシャルグラフェン成長機構の第一原理計算による研究」
2023年度卒業研究
「Geの酸化機構の解明」
「グラフェンで覆われたSiC表面の仕事関数の第一原理計算」
「SiO2・GeO2中のO欠陥の電子物性」
「WS2のS空孔効果とO原子置換効果の理論検討」
2022年度卒業研究
「WS2 の酸化による理論研究」
「hBN の Cu 基板上 CVD 成長機構の理論研究」
「クリストバライト中のO欠陥における電気的性質と歪み効果の理論研究」
「Ge(100)表面における吸着 O の拡散機構の理論研究」
2021年度修士論文
「第一原理計算による歪んだSiO2中の欠陥の帯電効果の研究」
2021年度卒業研究
「Cu 上に吸着した B 原子、N 原子の安定性の理論研究」
「SiC 上に吸着した C 原子の安定性の理論研究」
2020年度卒業研究
「WS2の欠陥形成と帯電効果と歪み」
「Ge(001)面へのO吸着構造と歪みの影響」
「六方晶GeO2のO欠陥と歪み効果・帯電効果」
「SiC表面上のグラフェン成長の理論検討」
2019年度修士論文
「MoSe2中の空孔の安定性に対する積層効果」
「格子定数の変調によるSiO2中のVO拡散障壁の変化の研究」
2019年度卒業研究
「SiO2中のHとH2とH2Oの研究」
「SiC(000-1)面上のSi、C吸着の研究」
2018年度修士論文
「シリコン酸化膜の動特性の第一原理分子動力学法による研究」
2018年度卒業研究
「SiC(0001)面上のC吸着、Si吸着とC拡散、Si拡散障壁」
「二次元半導体のフォノンバンドと歪依存性」
「Si(001)面上のO吸着とO拡散障壁」
「二次元半導体の原子空孔の性質」
2017年度卒業研究
「MoSe2もしくはMoS2中の空孔の安定性に対する帯電効果」
「SiO2中のVO拡散障壁の研究」
「グラフェンとシリセンの振動数に対する構造変調の影響」
「SiO2/Si(100)界面の酸化物成長方向」
2016年度修士論文
「二次元物質h-BNとMoS2の原子空孔の安定性と電子状態」
「MoS2クラスター成長過程の第一原理計算による研究」
2016年度卒業研究
「Si(100)面での酸化初期過程の歪み依存性」
「MoSe2/GaAs構造の物性の研究」
「SiO2の動特性に対するSiOの効果の検討」
2015年度卒業研究
「Si表面の酸化過程の理論検討」
「Si酸化物中の格子欠陥の安定性と結晶構造の関係」
2014年度卒業研究
「二次元半導体における原子空孔の第一原理計算に基づいた研究」
「第一原理計算を用いたMoS2の結晶成長メカニズムの検討」
「グラフェンにおけるエッジの再構成とエネルギー安定性」
「アームチェア端型グラフェンナノリボンにおけるバンドギャップ制御」